Method for improving retention reliability of ferroelectric RAM

   
   

The present invention can improve and/or modify data retention lifetimes for ferroelectric devices by baking them prior to or during packaging. A ferroelectric device is programmed to a particular state and then baked for a selected period of time at a selected temperature. This pre-baking or imprinting causes the device to be imprinted or have a preference for the particular state and reduces loss of signal margin over time, thereby at least partially preserving data retention capabilities.

La actual invención puede mejorar y/o modificar los cursos de la vida de la retención de los datos para los dispositivos ferroelectric cociéndolos al horno antes o durante del empaquetado. Un dispositivo ferroelectric se programa a un estado particular y después se cuece al horno por un período del tiempo seleccionado en una temperatura seleccionada. Esta pre-hornada o la impresión hace el dispositivo ser impresa o tiene una preferencia por el estado particular y reduce la pérdida de margen de la señal en un cierto plazo, preservando de tal modo por lo menos parcialmente capacidades de la retención de los datos.

 
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