A high withstand voltage semicnductor device does not show any significant
fall of its withstand voltage if the impurity concentration of the RESURF
layer of a low impurity concentration semiconductor region thereof varies
from the optimal level and/or influenced by the fixed electric charge. The
device is produced by forming a ring-shaped high impurity concentration
edge termination layer of a second conductivity type and a ring-shaped low
impurity concentration RESURF layer of the second conductivity type on the
front surface of a semiconductor layer of a first conductivity type
carrying electrodes respectively on the opposite surfaces thereof along
the outer edge of one of the electrodes, then forming an outer ring layer
with an impurity concentration substantially as low as the RESURF layer
concentrically outside the RESURF layer with a gap separating therebetween
and subsequently forming an inner ring layer with an impurity
concentration substantially as high as the edge termination layer
concentrically inside the RESURF layer.
Um dispositivo elevado do semicnductor da tensão do withstand não mostra nenhuma queda significativa de sua tensão do withstand se a concentração de impureza da camada de RESURF de uma região de semicondutor baixa da concentração de impureza variar disso do nível optimal e/ou influenciado pela carga elétrica fixa. O dispositivo é produzido dando forma a uma camada elevada ring-shaped da terminação da borda da concentração de impureza de um segundo tipo do conductivity e uma camada baixa ring-shaped da concentração de impureza RESURF do segundo tipo do conductivity na superfície dianteira de uma camada do semicondutor de um primeiro tipo elétrodos carregando do conductivity respectivamente no oposto aplaina disso ao longo da borda exterior de um dos elétrodos, a seguir de dar forma a uma camada exterior do anel com uma concentração de impureza substancialmente tão baixo como a camada de RESURF concêntrica fora da camada de RESURF com uma separação da abertura therebetween e subseqüentemente dar forma a uma camada interna do anel com uma concentração de impureza substancialmente tão altamente como a camada da terminação da borda concêntrica dentro da camada de RESURF.
