Cross point memory array using distinct voltages. The invention is a cross
point memory array that applies a first select voltage on one conductive
array line, a second select voltage on a second conductive array line, the
two conductive array lines uniquely defining a single memory plug. The
magnitude of the select voltages depends upon whether a read operation or
a write operation is occurring. Additionally, an unselect voltage is
applied to the unselected conductive array lines. The unselect voltage can
be applied before, after or during the selection process. The unselect
voltage is approximately equal to the average of the first select voltage
and the second select voltage.
Koppelpunktgedächtnisreihe mit eindeutigen Spannungen. Die Erfindung ist eine Koppelpunktgedächtnisreihe, die eine erste auserwählte Spannung auf einer leitenden Reihe Linie anwendet, eine zweite auserwählte Spannung auf einer zweiten leitenden Reihe Linie, die zwei leitenden Reihe Linien, die einzigartig einen einzelnen Gedächtnisstecker definieren. Die Größe der auserwählten Spannungen hängt auf ab, ob ein Lesevorgang oder ein schreibenbetrieb auftritt. Zusätzlich wird eine unselect Spannung an den gemischten leitenden Reihe Linien angewendet. Die unselect Spannung kann vor, nach oder während dem Auswahlverfahren angewendet werden. Die unselect Spannung ist dem Durchschnitt der ersten auserwählten Spannung und der zweiten auserwählten Spannung ungefähr gleich.
