Nanowire devices may be provided that are based on carbon nanotubes or
single-crystal semiconductor nanowires. The nanowire devices may be formed
on a substrate. Catalyst sites may be formed on the substrate. The
catalyst sites may be formed using lithography, thin metal layers that
form individual catalyst sites when heated, collapsible porous
catalyst-filled microscopic spheres, microscopic spheres that serve as
masks for catalyst deposition, electrochemical deposition techniques, and
catalyst inks. Nanowires may be grown from the catalyst sites.
Οι συσκευές Nanowire μπορούν να παρασχεθούν που είναι βασισμένες στον άνθρακα nanotubes ή το μονοκρυσταλλικό ημιαγωγό nanowires. Οι συσκευές nanowire μπορούν να διαμορφωθούν σε ένα υπόστρωμα. Οι περιοχές καταλυτών μπορούν να διαμορφωθούν στο υπόστρωμα. Οι περιοχές καταλυτών μπορούν να διαμορφωθούν χρησιμοποιώντας τη λιθογραφία, λεπτά στρώματα μετάλλων που διαμορφώνουν τις μεμονωμένες περιοχές καταλυτών όταν θερμαμένες, πτυσσόμενες πορώδεις καταλύτης-γεμισμένες μικροσκοπικές σφαίρες, μικροσκοπικές σφαίρες που χρησιμεύουν ως οι μάσκες για την απόθεση καταλυτών, τις ηλεκτροχημικές τεχνικές απόθεσης, και τα μελάνια καταλυτών. Το Nanowires μπορεί να αυξηθεί από τις περιοχές καταλυτών.
