A first magnetic layer includes an area which contains an element X (e.g.,
Cr) and is present in position toward the side of a nonmagnetic
intermediate layer from the side near an opposite surface of the first
magnetic layer away from an interface between the first magnetic layer and
the nonmagnetic intermediate layer, and an area which is partly located in
a region from the interface between the first magnetic layer and the
nonmagnetic intermediate layer toward the opposite surface of the first
magnetic layer and which does not contain the element X. Such an
arrangement is able to improve a resistance change rate, to increase a
coupling magnetic field based on the RKKY interaction, and to realize
satisfactory control of magnetization of a free magnetic layer.
Первый магнитный слой вклюает область содержит элемент x (например, cr) и присутствует в положении к стороне немагнитного промежуточного слоя от бортовое почти противоположная поверхность первого магнитного слоя отсутствующего от поверхности стыка между первым магнитным слоем и немагнитным промежуточным слоем, и область которая отчасти устроены в зоне от поверхности стыка между первым магнитным слоем и немагнитным промежуточным слоем к противоположной поверхности первого магнитного слоя и которая не содержит природная стихия x. Такое расположение может улучшить тариф изменения сопротивления, увеличить поле соединения магнитное основанное на взаимодействии RKKY, и осуществить удовлетворительное управление замагничивания свободно магнитного слоя.
