The present invention provides a method for producing a solar cell
comprising forming the solar cell from a CZ silicon single crystal wafer,
wherein a CZ silicon single crystal wafer having an initial interstitial
oxygen concentration of 15 ppma or less is used as the CZ silicon single
crystal wafer; a solar cell produced from a CZ silicon single crystal
wafer, wherein the CZ silicon single crystal wafer has an interstitial
oxygen concentration of 15 ppma or less; and a solar cell produced from a
CZ silicon single crystal wafer, wherein the CZ silicon single crystal
wafer has a BMD density of 5.times.10.sup.8 /cm.sup.3 or less. Thus, there
can be obtained a solar cell showing little fluctuation of
characteristics.
La présente invention fournit une méthode pour produire une pile solaire comportant formant la pile solaire à partir d'une gaufrette en cristal simple de silicium de CZ, où une gaufrette en cristal simple de silicium de CZ ayant une première concentration en oxygène interstitielle du ppma 15 ou de moins est employée comme gaufrette en cristal simple de silicium de CZ ; une pile solaire a produit à partir d'une gaufrette en cristal simple de silicium de CZ, où la gaufrette en cristal simple de silicium de CZ a une concentration en oxygène interstitielle du ppma 15 ou de moins ; et une pile solaire a produit à partir d'une gaufrette en cristal simple de silicium de CZ, où la gaufrette en cristal simple de silicium de CZ a une densité de BMD de 5.times.10.sup.8 /cm.sup.3 ou moins. Ainsi, là peut être obtenu une pile solaire montrant peu de fluctuation des caractéristiques.
