In a semiconductor light emitting device configured to extract light
through a substrate thereof, an electrode layer is formed on a p-type
semiconductor layer (such as p-type GaN layer) formed on an active layer,
and a nickel layer is formed as a contact metal layer between the
electrode layer and the p-type semiconductor layer and adjusted in
thickness not to exceed the intrusion length of light generated in the
active layer. Since the nickel layer is sufficiently thin, reflection
efficiency can be enhanced.
Σε μια ελαφριά εκπέμποντας συσκευή ημιαγωγών που διαμορφώνεται για να εξαγάγει το φως μέσω ενός υποστρώματος επ' αυτού, ένα στρώμα ηλεκτροδίων διαμορφώνεται σε ένα στρώμα ημιαγωγών π-τύπων (όπως το στρώμα π-τύπων GaN) που διαμορφώνεται σε ένα ενεργό στρώμα, και ένα στρώμα νικελίου διαμορφώνεται ως στρώμα μετάλλων επαφών μεταξύ του στρώματος ηλεκτροδίων και στρώμα ημιαγωγών π-τύπων και ρυθμίζεται στο πάχος για να μην υπερβεί το μήκος παρείσφρυσης του φωτός που παράγεται στο ενεργό στρώμα. Δεδομένου ότι το στρώμα νικελίου είναι αρκετά λεπτό, η αποδοτικότητα αντανάκλασης μπορεί να ενισχυθεί.
