Method and system for electrically coupling a chip to chip package

   
   

A chip and a chip package can transmit information to each other by using a set of converters capable of communicating with each other through the emission and reception of electromagnetic signals. Both the chip and the chip package have at least one such converter physically disposed on them. Each converter is able to (1) convert received electromagnetic signals into electronic signals, which it then may relay to leads on the device on which it is disposed; and (2) receive electronic signals from leads on the device on which it is disposed and convert them into corresponding electromagnetic signals, which it may transmit to a corresponding converter on the other device. Not having a direct physical connection between the chip and the chip package decreases the inductive and capacitive effects commonly experienced with physical bonds.

Ein Span und ein Spanpaket können Informationen miteinander übertragen, indem sie einen Satz Konverter verwenden, die zum Verständigen mit einander durch die Emission und Aufnahme der elektromagnetischen Signale fähig sind. haben der Span und das Spanpaket mindestens einen solchen Konverter, der physikalisch auf ihnen abgeschaffen wird. Jeder Konverter ist zu (1) Bekehrter empfangenen elektromagnetischen Signalen in elektronische Signale, die er zu den Leitungen auf der Vorrichtung dann neu legen kann, auf der er abgeschaffen wird; und (2) empfangen elektronische Signale von den Leitungen auf der Vorrichtung, auf der es abgeschaffen und sie in entsprechende elektromagnetische Signale umwandelt wird, die es einem entsprechenden Konverter auf der anderen Vorrichtung übermitteln kann. Verringert Haben nicht einer direkten ungesicherten Systemverbindung zwischen dem Span und dem Spanpaket die induktiven und kapazitiven Effekte, die allgemein mit körperlichen Bindungen erfahren werden.

 
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< P-n junction-type compound semiconductor light-emitting device, production method thereof, lamp and light source

< Semiconductor light emitting device, manufacturing method of a semiconductor light emitting device and connection structure of an electrode layer

> Light emitting devices with improved extraction efficiency

> P-n junction type boron phosphide-based semiconductor light-emitting device and production method thereof

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