A quick punch-through integrated gate bipolar transistor (IGBT) includes a
drift region and a gate. The drift region has a drift region dopant
concentration and a drift region thickness. The gate has a gate
capacitance. The drift region dopant concentration, drift region thickness
and gate capacitance are adjusted dependent at least in part upon the PNP
gain of the IGBT to maintain the potential difference between the gate and
emitter at a level greater than the IGBT threshold voltage when the
collector voltage reaches the bus voltage. This insures that the hole
carrier concentration remains approximately equal to or greater than the
drift region dopant concentration when the depletion layer punches through
to the buffer region during the turn-off delay. Thus, the collector
voltage overshoot and the rate of change of voltage and current are
controlled, and electromagnetic interference is reduced, during turn off.
Ein schnelles Durchschlag-durch integrierten zweipoligen Transistor des Gatters (IGBT) schließt eine Antriebregion und ein Gatter ein. Die Antriebregion hat eine Antriebregion-Dotierungskonzentration und eine Antriebregionstärke. Das Gatter hat eine Gatterkapazitanz. Die Antriebregion-Dotierungskonzentration, die Antriebregionstärke und die Gatterkapazitanz sind justiertes Abhängiges mindestens im Teil nach dem PNP Gewinn des IGBT, zum des möglichen Unterschiedes zwischen dem Gatter und Emitter auf einem Niveau beizubehalten, das als die IGBT Schwelle Spannung grösser ist, wenn die Anodenspannung die Busspannung erreicht. Dieses versichert, daß die Bohrung Ladungskonzentration ungefähr gleich oder grösser bleibt, als die Antriebregion-Dotierungskonzentration, wenn die Sperrschicht durch zur Pufferregion während turn-off locht, verzögert. So übertreiben die Anodenspannung und die Änderungsgeschwindigkeit der Spannung und des Stromes sind kontrolliert, und elektromagnetische Störung wird, während abstellen verringert.
