A semiconductor structure includes a substrate comprising a first relaxed
semiconductor material with a first lattice constant. A semiconductor
device layer overlies the substrate, wherein the semiconductor device
layer includes a second relaxed semiconductor material with a second
lattice constant different from the first lattice constant. In addition, a
dielectric layer is interposed between the substrate and the semiconductor
device layer, wherein the dielectric layer includes a programmed
transition zone disposed within the dielectric layer for transitioning
between the first lattice constant and the second lattice constant. The
programmed transition zone includes a plurality of layers, adjoining ones
of the plurality of layers having different lattice constants with one of
the adjoining ones having a first thickness exceeding a first critical
thickness required to form defects and another of the adjoining ones
having a second thickness not exceeding a second critical thickness. Each
adjoining layer of the plurality of layers forms an interface for
promoting defects in the transition zone to migrate to and terminate on an
edge of the programmed transition zone. A method of making the same is
also disclosed.
Una estructura del semiconductor incluye un substrato que abarca un primer material relajado del semiconductor con una primera constante del enrejado. Una capa del dispositivo de semiconductor cubre el substrato, en donde la capa del dispositivo de semiconductor incluye un segundo material relajado del semiconductor con una segunda constante del enrejado diferente de la primera constante del enrejado. Además, una capa dieléctrica se interpone entre el substrato y la capa del dispositivo de semiconductor, en donde la capa dieléctrica incluye una zona programada de la transición dispuesta dentro de la capa dieléctrica para transitioning entre el primer enrejado constante y la segunda constante del enrejado. La zona programada de la transición incluye una pluralidad de capas, colindando unas de la pluralidad de capas que tienen diversas constantes del enrejado con una el colindar que tienen un primer grueso el exceder de un primer grueso crítico requerido para formar defectos y otra el colindar que tienen un segundo grueso el no exceder de un segundo grueso crítico. Cada capa colindante de la pluralidad de capas forma un interfaz para promover defectos en la zona de la transición para emigrar a y para terminar en un borde de la zona programada de la transición. Un método de hacer igual también se divulga.
