A switching chip (101) using silicon as the base material is located on the
upper surface of a cooling mechanism formed of a heat sink (115), an
insulating substrate (114) and a conductive plate (108), with a first
conductive layer (109A) sandwiched in between. Further, a diode chip (102)
having a smaller area than a cathode electrode (103) and using a wide gap
semiconductor as the base material is located on the cathode electrode
(103) which has a smaller area than an anode electrode (105), with a
second conductive layer (109B) sandwiched in between. A closed container
(117) encloses every structural component except an exposed portion of a
bottom surface (115BS) in the interior space.
Обломок переключения (101) используя кремний как базовый материал расположен на верхней поверхности охлаждая механизма сформированного раковины жары (115), изолируя субстрата (114) и проводной плиты (108), при первый проводной слой (109A) прослоенный внутри. Более потом, обломок диода (102) имея более малую зону чем электрод катода (103) и используя полупроводник огромнаяа разница как базовый материал расположен на электроде катода (103) которого имеет более малую зону чем электрода анода (105), при второй проводной слой (109B) прослоенный внутри. Закрытый контейнер (117) заключает каждый структурно компонент за исключением, котор подвергли действию части нижней поверхности (115BS) в нутряной космос.
