A built-in self-diagnostic (BISD) memory device includes a two-dimension
memory array provided with a redundant memory rows and columns that can be
substituted for various ones in the two-dimension memory array by an
external repair facility. A stimulus generator outputs multi-address test
sequences to the memory array during a test mode. A response evaluator
receives responses from the memory. A fault table stores evaluations of
the responses, and communicates them to the external repair facility. A
repair register indicates which memory columns have been intermediately
scheduled for repair by the response evaluator. Column counters each
accumulate the number of memory bit faults detected in a respective memory
column. All are disposed in a single integrated circuit semiconductor
device.
Built-in self-diagnostic приспособление памяти (BISD) вклюает блок памяти 2-razmera предусмотренный с рядками и колонками резервными памяти можно заменить для различных одних в блоке памяти 2-razmera внешним средством ремонта. Генератор стимула выводит наружу последовательности испытаний multi-address к блоку памяти во время испытательного режима. Оцениватель реакции получает реакции от памяти. Таблица недостатка хранит оценки реакций, и связывает они к внешнему средству ремонта. Регистр ремонта показывает которые колонки памяти промежуточно были запланированы для ремонта оценивателем реакции. Колонка противопоставляет каждое аккумулирует число недостатков бита памяти обнаруженных в соответственно колонке памяти. Все размещаны в одиночный прибора на полупроводниках интегрированной цепи.
