A post-etch treatment for enhancing and stabilizing the photoluminescence
(PL) from a porous silicon (PS) substrate is outlined. The method includes
treating the PS substrate with an aqueous hydrochloric acid solution and
then treating the PS substrate with an alcohol. Alternatively, the
post-etch method of enhancing and stabilizing the PL from a PS substrate
includes treating the PS substrate with an aqueous hydrochloric acid and
alcohol solution. Further, the PL of the PS substrate can be enhanced by
treating the PS substrate with dye. Furthermore, the PS substrate can be
metallized to form a PS substrate with resistances ranging from 20 to 1000
ohms.
Post-ets behandeling voor het verbeteren en het stabiliseren van photoluminescence (PL) van een poreus silicium(ps) substraat is geschetst. De methode omvat het behandelen van het substraat PS met een waterige hydrochloric zure oplossing en dan het behandelen van het substraat PS met een alcohol. Alternatief, post-ets methode om te verbeteren en het stabiliseren van PL van een substraat PS omvat het behandelen van het substraat PS met een waterige hydrochloric zuur en alcoholoplossing. Verder, kan PL van het substraat PS worden verbeterd door het substraat PS met kleurstof te behandelen. Voorts kan het substraat PS worden gemetalliseerd om een substraat PS met weerstanden te vormen die zich van 20 tot 1000 ohms uitstrekken.
