A projection lithography system exposes a photo sensitive material on a
surface of a semiconductor substrate that includes surface height
variations between a high level and a low level. The system comprises an
illumination source projecting illumination within a narrow wavelength
band centered about a nominal wavelength on an optic path towards the
substrate during an exposure period. A wavelength modulation system within
the optic path comprises means for chromatically separating the narrow
wavelength band into at least two sub-bands, the first sub-band being
smaller than the narrow wavelength band and centered about a first
sub-band wavelength and the second sub-band being smaller than the narrow
wavelength band and centered about a second sub-band wavelength and means
for passing each of the first sub-band and the second sub-band during
distinct time periods within the exposure period.
Ένα σύστημα λιθογραφίας προβολής εκθέτει ένα ευαίσθητο υλικό φωτογραφιών σε μια επιφάνεια ενός υποστρώματος ημιαγωγών που περιλαμβάνει τις παραλλαγές ύψους επιφάνειας μεταξύ ενός υψηλού επιπέδου και ενός χαμηλού επιπέδου. Το σύστημα περιλαμβάνει έναν φωτισμό προβολής πηγής φωτισμού μέσα σε μια στενή ζώνη μήκους κύματος που κεντροθετείται για ένα ονομαστικό μήκος κύματος σε μια οπτική πορεία προς το υπόστρωμα κατά τη διάρκεια μιας περιόδου έκθεσης. Ένα σύστημα διαμόρφωσης μήκους κύματος μέσα στην οπτική πορεία περιλαμβάνει τα μέσα για chromatically τη στενή ζώνη μήκους κύματος σε τουλάχιστον δύο υποζώνες, η πρώτη υποζώνη που είναι μικρότερη για ένα πρώτο μήκος κύματος υποζωνών και η δεύτερη υποζώνη που είναι μικρότερη από τη στενή ζώνη μήκους κύματος και από τη στενή ζώνη μήκους κύματος και για ένα δεύτερα μήκος κύματος και μέσα υποζωνών για κάθε μιας από την πρώτη υποζώνη και η δεύτερη υποζώνη κατά τη διάρκεια των ευδιάκριτων χρονικών διαστημάτων εντός της περιόδου έκθεσης.
