In a sensor: a thin film is formed on a face of the dielectric block and in
contact with a specimen; a semiconductor laser unit as a light source
emits a light beam; an optical system injects the light beam into the
dielectric block so that the light beam is incident on a boundary between
the dielectric block and the thin film at a plurality of incident angles
which are greater than a critical angle for total reflection; and a light
detecting unit detects a state of attenuated total reflection by measuring
the intensity of the light beam totally reflected from the boundary. The
semiconductor laser unit is driven with a driving current on which a high
frequency component is superimposed.
В датчике: тонкая пленка сформирована на стороне диэлектрического блока и in contact with образец; блок лазера полупроводника как источник света испускает световой луч; оптически система впрыскивает световой луч в диэлектрический блок так, что световым лучем будет случай на границе между диэлектрическим блоком и тонкой пленкой на множественности углов случая greater than критически угол для полного отражения; и светлый обнаруживая блок обнаруживает положение ослабленного полного отражения путем измерять интенсивность светового луча полно отраженного от границы. Блок лазера полупроводника управляется с управляя течением на высокочастотный компонент перекрын.
