A UV laser beam is selectively irradiated on an active layer (semiconductor
layer) of a second TFT in a pixel, so as to degrade crystallinity of the
active layer and thereby execute electrical disconnection. According to
this method, dimming out of pixels can be performed without generating
undesirable influences in other components. By directing the laser beam to
a portion of the active layer located beneath the gate electrode, the
laser beam can be reflected by the gate electrode, allowing execution of a
more efficient laser irradiation.
UV лазерныйа луч селективно облучен на активно слое (слое полупроводника) второго TFT в пикселе, для того чтобы ухудшить кристалличность активно слоя и таким образом исполнить электрическое разъединение. Согласно этому методу, затемнять из пикселов можно выполнить без производить нежелательные влияния в других компонентах. Путем сразу лазерныйа луч к части активно слоя расположенного под электродом строба, лазерныйа луч может быть отражен электродом строба, позволяющ исполнение более эффективного облучения лазера.
