One aspect of the present subject matter relates to a partially depleted
silicon-on-insulator structure. The structure includes a well region
formed above an oxide insulation layer. In various embodiments, the well
region is a multilayer epitaxy that includes a silicon germanium (Si--Ge)
layer. In various embodiments, the well region includes a number of
recombination centers between the Si--Ge layer and the insulation layer. A
source region, a drain region, a gate oxide layer, and a gate are formed.
In various embodiments, the Si--Ge layer includes a number of
recombination centers in the source/drain regions. In various embodiments,
a metal silicide layer and a lateral metal Schottky layer are formed above
the well region to contact the source region and the well region. Other
aspects are provided herein.
Una funzione del tema del presente si riferisce ad una struttura parzialmente esaurita dell'silicone-su-isolante. La struttura include una regione buona formata sopra uno strato dell'isolamento dell'ossido. In vari incorporamenti, la regione buona è un'epitassia a più strati che include uno strato del germanio del silicone (silicone -- GE). In vari incorporamenti, la regione buona include un certo numero di centri fra il silicone -- strato di GE e lo strato di ricombinazione dell'isolamento. Una regione di fonte, una regione dello scolo, uno strato dell'ossido del cancello e un cancello sono formati. In vari incorporamenti, il silicone -- lo strato di GE include un certo numero di centri di ricombinazione nelle regioni di source/drain. In vari incorporamenti, uno strato del silicide del metallo e uno strato laterale dello Schottky del metallo sono formati sopra la regione buona per mettersi in contatto con la regione di fonte e la regione buona. Altre funzioni sono fornite qui.
