Dopant interface formation

   
   

Formation of an interconnect circuit feature having a metal and an electropositive dopant. The interconnect feature may contain an accumulation of the the electropositive dopant at interface boundaries of the interconnect feature to reduce electromigration of the metal during operation. In a method the interconnect feature may be heated to drive a portion of the electropositive dopant to the interfaces.

Образование характеристики цепи interconnect имея металл и электроположительный dopant. Характеристика interconnect может содержать накопление электроположительного dopant на границах поверхности стыка характеристики interconnect для уменьшения электромиграции металла во время деятельности. В методе характеристика interconnect может быть нагрета для того чтобы управлять частью электроположительного dopant к поверхностям стыка.

 
Web www.patentalert.com

< Integrated circuit ferroelectric memory devices including plate lines directly on ferroelectric capacitors

< Semiconductor memory device

> Nitride based semiconductor light emitting device and nitride based semiconductor laser device

> High performance vertical PNP transistor and method

~ 00148