Hybrid microelectronic array structure having electrically isolated supported islands, and its fabrication

   
   

A hybrid microelectronic array structure is fabricated from a readout integrated circuit array of microelectronic integrated circuits and a supported array of supported islands. The supported islands include one or more supported elements, with a respective supported element for each of the readout integrated circuits. The supported array is made by depositing the first semiconductor region onto a supported substrate and depositing the second semiconductor region onto the first semiconductor region, and defining supported islands as electrically isolated segments. On each supported element, a first interconnect is formed to the first semiconductor region and a second interconnect is formed to the second semiconductor region. The supported array is joined to the readout integrated circuit array by an interconnect structure, preferably a bump interconnect structure, to form the hybrid microelectronic array structure, with each readout integrated electrically interconnected to the respective one of the supported elements.

Una struttura microelettronica ibrida di allineamento è fabbricata da un allineamento del circuito integrato della lettura dei circuiti integrati microelettronici e da un allineamento sostenuto delle isole sostenute. Le isole sostenute includono uno o più elementi sostenuti, con un elemento sostenuto rispettivo per ciascuno dei circuiti integrati della lettura. L'allineamento sostenuto è fatto depositando la prima regione a semiconduttore su un substrato sostenuto e depositando la seconda regione a semiconduttore sulla prima regione a semiconduttore e definendo le isole sostenute come segmenti elettricamente isolati. Su ogni elemento sostenuto, una prima interconnessione è formata alla prima regione a semiconduttore e una seconda interconnessione è formata alla seconda regione a semiconduttore. L'allineamento sostenuto si unisce all'allineamento del circuito integrato della lettura da una struttura di interconnessione, preferibilmente una struttura di interconnessione dell'urto, per formare la struttura microelettronica ibrida di allineamento, con ogni lettura integrata collegata elettricamente a quella rispettiva degli elementi sostenuti.

 
Web www.patentalert.com

< Detection signal correction method and device as well as solid-state detector for use therewith

< Computerized method for determination of the likelihood of malignancy for pulmonary nodules on low-dose CT

> Image display method and apparatus

> Radiation-detection devices

~ 00148