A Bipolar Junction Transistor (BJT) that reduces the variation in the
current gain through the use of a trench pullback structure. The trench
pullback structure is comprised of a trench and an active region. The
trench reduces recombination in the emitter-base region through increasing
the distance charge carriers must travel between the emitter and the base.
The trench also reduces recombination by reducing the amount of
interfacial traps that the electrons injected from the emitter are exposed
to. Further, the trench is pulled back from the emitter allowing an active
region where electrons injected from a sidewall of the emitter can
contribute to the overall injected emitter current. This structure offers
the same current capability and current gain as a device without the
trench between the emitter and the base while reducing the current gain
variation.
Un transistore di giunzione bipolare (BJT) che riduce la variazione nel guadagno corrente con l'uso di una struttura del pullback della trincea. La struttura del pullback della trincea è contenuta una trincea e una regione attiva. La trincea riduce la ricombinazione nella regione della emettitore-base through aumentando gli elementi portanti della carica di distanza deve viaggiare fra l'emettitore e la base. La trincea inoltre riduce la ricombinazione riducendo la quantità di prese interfacciali a che gli elettroni iniettati dall'emettitore sono esposti. Più ulteriormente, la trincea è tirata indietro dall'emettitore permettendo una regione attiva dove gli elettroni iniettati da un muro laterale dell'emettitore possono contribuire alla corrente iniettata generale dell'emettitore. Questa struttura offre la stessi possibilità corrente e guadagno corrente come dispositivo senza la trincea fra l'emettitore e la base mentre riduce la variazione di guadagno corrente.
