Magnetoresistive element, memory element having the magnetoresistive element, and memory using the memory element

   
   

A magnetoresistive film includes a nonmagnetic film, and a structure in which magnetic films are formed on the two sides of the nonmagnetic film. At least one of the magnetic films is a perpendicular magnetization film. A magnetic film whose easy axis of magnetization is inclined from a direction perpendicular to the film surface is formed at a position where the magnetic film contacts the perpendicular magnetization film but does not contact the nonmagnetic film. A memory, magnetic element, magnetoresistive element, and magnetic element manufacturing method are also disclosed.

Ein magnetoresistenter Film schließt einen antimagnetischen Film und eine Struktur ein, in der magnetische Filme auf den zwei Seiten des antimagnetischen Filmes gebildet werden. Einer mindestens der magnetischen Filme ist ein Senkrechtmagnetisierung Film. Ein magnetischer Film dessen einfache Mittellinie der Magnetisierung von einem Richtung Senkrechten zur Filmoberfläche geneigt ist, wird in einer Position, in der der magnetische Film mit dem Senkrechtmagnetisierung Film aber in Verbindung tritt, nicht mit dem antimagnetischen Film in Verbindung tritt gebildet. Ein Gedächtnis, ein magnetisches Element, eine Feldplatte und magnetische eine Elementproduktionsmethode werden auch freigegeben.

 
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> Magnetic head of a magnetoresistance type having an underlying layer having a laminated structure of a tungsten-group metal layer formed on a tantalum-group metal layer

> Information recording and reproducing method and information recording and reproducing device

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