A surface emitting semiconductor laser device of oxidized-Al current
confinement structure has a resonant wavelength of a fundamental
transverse mode, which is set shorter than or equal to a peak-gain
wavelength of the laser device at a specified temperature. The surface
emitting semiconductor laser device emits in a single-transverse mode.
Un dispositivo d'emissione di superficie del laser a semiconduttore della struttura corrente di relegazione di ossid-Al ha una lunghezza d'onda sonora di un modo trasversale fondamentale, che è regolato più corto di o il uguale all'picco-guadagna la lunghezza d'onda del dispositivo del laser ad una temperatura specificata. Il dispositivo d'emissione di superficie del laser a semiconduttore emette in un modo singolo-trasversale.
