A method for electrically determining in a semiconductor wafer the location
of edges of a well that underlies an insulating layer that includes
forming in the wafer before forming of the well and the insulating layer a
plurality of conductive stripes will that pass under the future insulating
layer and extend to varying distances under the insulating layer so as to
include stripes that will penetrate an edge to be located so as to form a
low resistance connection thereto and stripes that will fall short of an
edge to be located. From the stripes of minimum penetration that make low
resistance can be determined the location of the well edges.
Une méthode pour déterminer électriquement dans une gaufrette de semi-conducteur l'endroit des bords d'un puits qui est à la base d'une couche de isolation qui inclut la formation dans la gaufrette avant la formation du puits et la couche de isolation une pluralité de raies conductrices veulent ce passage sous la future couche de isolation et se prolongent aux distances variables sous la couche de isolation afin d'inclure les raies qui pénétreront un bord à localiser afin de former un bas raccordement de résistance là-dessus et les raies qui feront défaut à un bord à localiser. À partir des raies de la pénétration minimum qui font la basse résistance peut être déterminée l'endroit des bords bons.
