A capacitive electrode structure for use in an integrated circuit
fabricated on a substrate comprises a first electrode formed by a
diffusion region in the substrate, an insulating layer formed on the
diffusion region, and a second electrode formed by a conductive layer
deposited on said insulating layer. To increase the capacitance per chip
area of the capacitive electrode structure, a plurality of recesses are
formed in the first electrode on an upper surface thereof with a lower
surface of the second electrode substantially following a contour of these
recesses. In one embodiment, the capacitive electrode structure is
employed for a capacitor formed between a control gate and a floating gate
in an EEPROM cell. Capacitors in other types of integrated circuit can be
likewise formed using the electrode structure of the present invention.
Preferably, the recesses in the diffusion region are formed concurrently
with oxide-filled isolation trenches in the substrate used to isolate
adjacent circuit elements from each other.
Una struttura capacitiva dell'elettrodo per uso in un circuito integrato fabbricato su un substrato contiene un primo elettrodo costituito da una regione di diffusione nel substrato, in uno strato isolante formato sulla regione di diffusione ed in un secondo elettrodo costituito da uno strato conduttivo depositati sullo strato isolante detto. Per aumentare la capacità per zona del circuito integrato della struttura capacitiva dell'elettrodo, una pluralità di incavi è formata nel primo elettrodo su una superficie superiore di ciò con un intradosso del secondo elettrodo sostanzialmente seguente un profilo di questi incavi. In un incorporamento, la struttura capacitiva dell'elettrodo è impiegata per un condensatore formato fra un cancello di controllo e un cancello di galleggiante in una cellula di EEPROM. I condensatori in altri tipi di circuiti integrati possono essere formati similarmente usando la struttura dell'elettrodo di presente invenzione. Preferibilmente, gli incavi nella regione di diffusione sono formati contemporaneamente alle trincee ossido-riempite di isolamento nel substrato usato per isolargli gli elementi del circuito adiacenti.
