A simple and low cost semiconductor light emission element exerting high
performance and a process for producing the same are provided. The
semiconductor light emission element contains a nitride semiconductor
layer containing at least one or more element selected from Group IIIA
elements and one or more element selected from Group VA element, a
dissimilar semiconductor having a polarity different from the nitride
semiconductor layer, and a light emission layer provided between the
dissimilar semiconductor and the nitride semiconductor, in which electrons
or positive holes are injected from semiconductors of the dissimilar
semiconductor and the nitride semiconductor layer to the light emission
layer to carry out light emission.
Een licht de emissieelement die van de eenvoudige en lage kostenhalfgeleider hoge prestaties en een proces om het zelfde uitoefenen wordt te produceren verschaft. Het element van de halfgeleider lichte emissie bevat een laag van de nitridehalfgeleider minstens één of meerdere element bevatten dat uit de elementen van de Groep wordt geselecteerd IIIA en één of meerdere element dat uit het element van de Groep wordt geselecteerd VA, een ongelijke halfgeleider hebbend een polariteit verschillend van de laag van de nitridehalfgeleider, en een lichte emissielaag die die tussen de ongelijke halfgeleider en de nitridehalfgeleider wordt verstrekt, waarin de elektronen of de positieve gaten van halfgeleiders van de ongelijke halfgeleider en de laag van de nitridehalfgeleider aan de lichte emissielaag worden ingespoten om lichte emissie uit te voeren.
