When a plurality of semiconductor layers including a nitride compound layer
containing indium are stacked on a substrate, materials of layers above
the indium containing nitride compound layer are limited to specific
compounds, or their growth temperatures are limited within a predetermined
range, to suppress thermal deterioration of the nitride compound layer
containing indium or deterioration of the interface and to thereby grow a
high-quality semiconductor light emitting element using nitride compound
semiconductors. When manufacturing a nitride compound semiconductor light
emitting element having a first layer made of a first nitride compound
semiconductor containing indium and a second layer stacked on the first
layer, conditions for stacking the second layer are selected those inside
a closed region defined by connecting points plotted at x and y
coordinates (364, 600), (364, 1010), (550, 1010), (650, 600) and (364,
600) on a graph taking emission wavelengths based on band-to-band
transition of the first layer in nanometer on the x axis and taking growth
temperatures of the second layer in .degree. C. on the y axis. Thus, a
high-performance light emitting element can be made without inviting
thermal deterioration of the first layer.
Quando una pluralità di semiconduttore fa uno strato di compreso uno strato del residuo del nitruro che contiene l'indio sono impilati su un substrato, i materiali degli strati sopra l'indio che contiene lo strato compound del nitruro sono limitati ai residui specifici, o le loro temperature di sviluppo sono limitate all'interno di una gamma predeterminata, sopprimere il deterioramento termico dello strato del residuo del nitruro che contiene l'indio o il deterioramento dell'interfaccia e quindi sviluppare un elemento d'emissione chiaro a semiconduttore di alta qualità usando i semiconduttori compound del nitruro. Nel produrre un elemento d'emissione chiaro a semiconduttore compound del nitruro che ha un primo strato fatto di un semiconduttore compound del primo nitruro che contiene l'indio e un secondo strato impilato sul primo strato, i termini per l'impilamento del secondo strato sono selezionati quelli all'interno di una regione chiusa definita collegando i punti tracciati di coordinata y e di x (364, 600), (364, 1010), (a 550, a 1010), (650, 600) e (364, 600) su un grafico che prende le lunghezze d'onda dell'emissione basate sulla transizione della fascia-$$$-FASCIA del primo strato nel nanometro sull'asse di x e che prende le temperature di sviluppo del secondo strato nel degree. C. sull'asse di y. Quindi, un elemento d'emissione chiaro ad alto rendimento può essere fatto senza invitare il deterioramento termico del primo strato.
