A semiconductor laser (100) comprises, in succession, a first reflector
(102), a first optically active region (104), which can emit light of a
first wavelength (.lambda..sub.1), a second reflector (107), a second
optically active region (110), which can emit light of a second wavelength
(.lambda..sub.2), which is shorter than the first wavelength
(.lambda..sub.1), and a third reflector (112), wherein the two optically
active regions (110, 112) are able to emit their light on a common optical
axis (118) in a common emission direction (119).
Um laser do semicondutor (100) compreende, na sucessão, um primeiro refletor (102), uma primeira ótica região ativa (104), que possa se emitir a luz de um primeiro wavelength (lambda..sub.1), de um segundo refletor (107), do segundo de uma região ativa ótica (110), que podem se emitir a luz de um segundo wavelength (lambda..sub.2), que seja mais curto do que o primeiro wavelength (o lambda..sub.1), e de um terceiro refletor (112), wherein as duas ótica regiões ativas (110, 112) podem se emitir sua luz em uma linha central ótica comum (118) em um sentido comum da emissão (119).
