For determining optimum optical proximity corrections (OPCs) for a mask
pattern, mask areas are formed on a reticle with each mask area having the
mask pattern of polygons that are modified with respective OPCs
perturbations. A respective patterned area is fabricated on a
semiconductor wafer from each mask area of the reticle. A respective
microscopy image of each respective patterned area is generated to
determine a respective error function for each mask area by comparing a
desired image of the mask pattern and the respective microscopy image. The
optimum OPCs are determined as the respective OPCs perturbations
corresponding to one of the mask areas having the respective error
function that is a minimum of the mask areas.
Para determinar correções óticas as melhores da proximidade (OPCs) para um teste padrão de máscara, as áreas da máscara são dadas forma em um reticle com cada área da máscara que tem o teste padrão de máscara dos polygons que são modificados com perturbations respectivos de OPCs. Uma área modelada respectiva é fabricada em um wafer de semicondutor de cada área da máscara do reticle. Uma imagem respectiva do microscopy de cada área modelada respectiva é gerada para determinar uma função de erro respectiva para cada área da máscara comparando uma imagem desejada do teste padrão de máscara e da imagem respectiva do microscopy. O optimum OPCs é determinado como os perturbations respectivos de OPCs que correspondem a uma das áreas da máscara que têm a função de erro respectiva que é um mínimo das áreas da máscara.
