In order to eliminate the difference in ESD resistance caused by polarities
of excessive voltages applied to an external terminal and enhance ESD
resistance of a semiconductor integrated circuit device to both the
positive and negative overvoltages, a protection element having a
thyristor structure, for protecting an internal circuit from the positive
overvoltage and a protection element made up of a diode D1 for protecting
the internal circuit from the negative overvoltage are provided between
the external terminal and a ground potential.
Προκειμένου να εξαλειφτεί η διαφορά στην αντίσταση ESD που προκαλείται από τις πολικότητες των υπερβολικών τάσεων που εφαρμόζονται σε ένα εξωτερικό τερματικό και να ενισχυθεί η αντίσταση ESD μιας ημιαγωγός συσκευής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων και θετικά και αρνητικά overvoltages, ένα στοιχείο προστασίας που έχει μια thyristor δομή, για την προστασία ενός εσωτερικού κυκλώματος από θετικό overvoltage και ενός στοιχείου προστασίας φιαγμένο επάνω από δίοδο D1 για την προστασία του εσωτερικού κυκλώματος από αρνητικό overvoltage παρέχεται μεταξύ του εξωτερικού τερματικού και μιας επίγειας δυνατότητας.
