There are provided a magnetoresistive effect element, which has a large MR
ratio, excellent thermostability and a small switching magnetic field even
if its size is decreased, and a magnetic memory using the magnetoresistive
effect element. The magnetoresistive effect element includes: a storage
layer formed by stacking a plurality of ferromagnetic layers via
non-magnetic layers; a magnetic film having at least one ferromagnetic
layer; and a tunnel barrier layer provided between the storage layer and
the magnetic film. Each of the ferromagnetic layers of the storage layer
is formed of an Ni--Fe--Co ternary alloy which has a composition selected
from one of a composition region surrounded by a straight line of
Co.sub.90(at %) Fe.sub.10(at %) --Fe.sub.30(at %) Ni.sub.70(at %), a
straight line of Fe.sub.80(at %) Ni.sub.20(at %) --Fe.sub.30(at %)
Ni.sub.70(at %) and a straight line of Fe.sub.80(at %) Ni.sub.20(at %)
--Co.sub.65(at %) Ni.sub.35(at %), and a composition region surrounded by
a straight line of Fe.sub.80(at %) Ni.sub.20(at %) --Co.sub.65(at %)
Ni.sub.35(at %), a straight line of Co.sub.90(at %) Fe.sub.10(at %)
--Fe.sub.70(at %) Ni.sub.30(at %) and a straight line of Co.sub.90(at %)
Fe.sub.10(at %) --Fe.sub.30(at %) Ni.sub.70(at %). A maximum surface
roughness on each of an interface between the storage layer and the tunnel
barrier layer and an interface between the magnetic film and the tunnel
barrier layer is 0.4 nm or less.
Está fornecido um elemento magnetoresistive do efeito, que tenha um SR. grande relação, thermostability excelente e um campo magnético do switching pequeno mesmo se seu tamanho é diminuído, e uma memória magnética usando o elemento magnetoresistive do efeito. O elemento magnetoresistive do efeito inclui: uma camada do armazenamento deu forma empilhando um plurality de camadas ferromagnetic através das camadas non-magnetic; uma película magnética que tem ao menos uma camada ferromagnetic; e uma camada de barreira do túnel forneceu entre a camada do armazenamento e a película magnética. Cada uma das camadas ferromagnetic da camada do armazenamento é dada forma de um Ni -- Fe -- a liga ternária do Co que tem uma composição selecionada de uma de uma região da composição cercada por uma linha reta de % de Co.sub.90(at) Fe.sub.10(at %) -- % de Fe.sub.30(at) Ni.sub.70(at %), uma linha reta de % de Fe.sub.80(at) Ni.sub.20(at %) -- % de Fe.sub.30(at) Ni.sub.70(at %) e por uma linha reta de % de Fe.sub.80(at) Ni.sub.20(at %) -- % de Co.sub.65(at) Ni.sub.35(at %), e uma região da composição cercada por uma linha reta de % de Fe.sub.80(at) Ni.sub.20(at %) -- % de Co.sub.65(at) Ni.sub.35(at %), por uma linha reta de % de Co.sub.90(at) Fe.sub.10(at %) -- % de Fe.sub.70(at) Ni.sub.30(at %) e uma linha reta de % de Co.sub.90(at) Fe.sub.10(at %) -- % de % da aspereza de superfície máxima de Fe.sub.30(at) Ni.sub.70(at). A em cada uma de uma relação entre a camada do armazenamento e a camada de barreira do túnel e uma relação entre a película magnética e a camada de barreira do túnel é 0.4 nm ou menos.
