Transistors are formed by depositing at least one layer of semiconductor
material on a substrate comprising a polyphenylene polyimide. The
substrate permits the use of processing temperatures in excess of
300.degree. C. during the processes used to form the transistors, thus
allowing the formation of high quality silicon semiconductor layers. The
substrate also has a low coefficient of thermal expansion, which closely
matches that of silicon, thus reducing any tendency for a silicon layer to
crack or delaminate.
Os transistor são dados forma depositando ao menos uma camada de material do semicondutor em uma carcaça que compreende um polyimide do polyphenylene. A carcaça permite o uso de processar temperaturas no excesso de 300.degree. O C. durante os processos usou-se dar forma aos transistor, assim permitindo a formação de camadas do semicondutor do silicone da qualidade elevada. A carcaça tem também um coeficiente baixo da expansão térmica, que pròxima os fósforos que do silicone, assim reduzindo alguma tendência para uma camada do silicone à rachadura ou ao delaminate.
