Semiconductor device and manufacturing method thereof

   
   

The aperture ratio of a pixel of a reflecting type display device is improved without increasing the number of masks and without using a black mask. Locations for light shielding between pixels are arranged such that a pixel electrode overlaps with a portion of a gate wiring and a source wiring. In locations for shielding TFTs, a high pixel aperture ratio is realized by forming a color filter (red, or lamination of red and blue), formed on an opposing substrate.

De openingsverhouding van een pixel van een het nadenken type vertoningsapparaat is beter zonder het aantal maskers te verhogen en zonder het gebruiken van een zwart masker. De plaatsen voor lichte beveiliging tussen pixel worden geschikt dusdanig dat een pixelelektrode met een gedeelte van een poort bedrading en een bron bedrading overlapt. In plaatsen voor beveiliging TFTs, wordt een hoge verhouding van de pixelopening gerealiseerd door een kleurenfilter (rood, of laminering van rood en blauw) te vormen, die op een het verzetten zich substraat wordt gevormd.

 
Web www.patentalert.com

< Metal coordination compound and electroluminescence device

< Electroluminescent device containing organometallic compound with tridentate ligand

> Forming an oled device with a performance-inhancing layer

> Electroluminescent elements with light-emitting layer containing first and second compounds

~ 00147