Silicon crystallization method

   
   

Sequential lateral solidification (SLS) crystallization of amorphous silicon using a mask having striped light transmitting portions. An amorphous silicon bearing substrate is located in an SLS apparatus. The amorphous silicon film is functionally divided into a driving region (for driving devices) and a display region (for TFT switches). Part of the driving region is crystallized by a laser that passes through the mask. The mask is then moved relative to the substrate by a translation distance that is less than half the width of the light transmitting portions. Thereafter, subsequent crystallizations are performed to crystallize the driving region. Then, part of the display region is crystallized by a laser that passes through the mask. The mask is then moved relative to the substrate by a translation distance that is more than half the width of the light transmitting portions. Thereafter, subsequent crystallizations are performed to crystallize the display region.

Cristallisation latérale séquentielle de la solidification (SLS) de silicium amorphe en utilisant un masque ayant barré les parties de transmission de lumière. Un substrat amorphe de roulement de silicium est plac dans un appareillage de SLS. Le film amorphe de silicium est fonctionellement divisé en région de conduite (pour conduire des dispositifs) et région d'affichage (pour des commutateurs de TFT). Une partie de la région de conduite est cristallisée par un laser qui traverse le masque. Le masque est alors déplacé relativement au substrat par une distance de traduction qui est moins que moitié de la largeur de la transmission légère partage. Ensuite, des cristallisations suivantes sont exécutées pour cristalliser la région de conduite. Puis, une partie de la région d'affichage est cristallisée par un laser qui traverse le masque. Le masque est alors déplacé relativement au substrat par une distance de traduction qui est plus que moitié de la largeur de la transmission légère partage. Ensuite, des cristallisations suivantes sont exécutées pour cristalliser la région d'affichage.

 
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< Electrode structure on P-type III group nitride semiconductor layer and formation method thereof

< Dual panel type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same

> Polycrystalline silicon thin film used in a thin film transistor and a device using the same

> CMOS transistor and CMOS-based device

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