A semiconductor device in which electro-thermal conversion elements and
switching devices for flowing currents through the elements are integrated
on a first conductive type semiconductor substrate. The switching devices
are insulated gate type field effect transistors having a second
conductive type first semiconductor region on one principal surface of the
semiconductor substrate; a first conductive type second semiconductor
region for supplying a channel region and for adjoining the first
semiconductor region; a second conductive type source region on the
surface of the second semiconductor region; a second conductive type drain
region on the surface of the first semiconductor region; and gate
electrodes on the channel region with a gate insulator film between them.
The second semiconductor region is formed by a semiconductor having an
impurity concentration higher than that of the first semiconductor region,
and is disposed between two adjacent drain regions, separating them in a
traverse direction.
Um dispositivo de semicondutor em que os elementos da conversão e os dispositivos electro-thermal do switching para correntes fluindo através dos elementos são integrados em um primeiro tipo condutor carcaça do semicondutor. Os dispositivos do switching são tipo isolado transistor da porta de efeito de campo que têm um segundo tipo condutor primeira região de semicondutor em uma superfície principal da carcaça do semicondutor; um primeiro tipo condutor segundo região de semicondutor para fornecer uma região da canaleta e para ser contíguo com a primeira região de semicondutor; um segundo tipo condutor região da fonte na superfície da segunda região de semicondutor; um segundo tipo condutor região do dreno na superfície da primeira região de semicondutor; e elétrodos de porta na região da canaleta com uma película do isolador da porta entre eles. A segunda região de semicondutor é dada forma por um semicondutor que tem uma concentração de impureza mais altamente do que aquela da primeira região de semicondutor, e disposta entre duas regiões adjacentes do dreno, separando as em um sentido transversal.
