A substrate pad VREFT provided outside of the mold resin and word line
driving voltage generation circuits within a plurality of bare chips are
electrically connected only through electrical wires on a module
substrate. Therefore, it becomes possible to force a voltage to the word
line driving voltage generation circuits from the outside not only after
the plurality of bare chips is mounted on the module substrate but also
after the plurality of bare chips is integrally covered with mold resin by
applying a desired voltage to the substrate pad VREFT. There is provided a
semiconductor memory module capable of performing a test for a
semiconductor chip after the semiconductor chip is mounted on a module
substrate.
Пусковая площадка VREFT субстрата обеспечила вне смолаы прессформы и линия слова управляя цепями поколения напряжения тока в пределах множественности чуть-чуть обломоков электрически соединена только через электрические проводы на субстрате модуля. Поэтому, будет по возможности принудить напряжение тока к линии слова управляя цепями поколения напряжения тока от снаружи только после того как множественность чуть-чуть обломоков установлена на субстрате модуля но также после того как множественность чуть-чуть обломоков монолитно покрына с смолаой прессформы путем придавать заданное напряжение тока к пусковой площадке VREFT субстрата. Обеспечено модулю памяти полупроводника способному выполнять испытание для обломока полупроводника после того как обломок полупроводника установлен на субстрате модуля.
