A magnetic memory includes a sense amplifier coupled to a memory cell. The
sense amplifier includes a capacitor operative between a first voltage
established by a first sense current flowing in a first direction and
corresponding to an unknown logic state of the memory cell, and a second
voltage established by a second sense current flowing in a second
direction and corresponding to a known logic state of the memory cell. The
sense amplifier includes detect logic configured to compare the second
voltage to an upper and lower threshold voltage and provide the known
logic state if the second voltage is less than the upper threshold voltage
and greater than the lower threshold voltage, and provide a logic state
opposite to the known logic state if the second voltage is equal to or
greater than the upper threshold voltage or is equal to or less than the
lower threshold voltage.
Μια μαγνητική μνήμη περιλαμβάνει έναν ενισχυτή αίσθησης που συνδέεται με ένα κύτταρο μνήμης. Ο ενισχυτής αίσθησης περιλαμβάνει έναν χειριστή πυκνωτών μεταξύ μιας πρώτης τάσης που καθιερώνονται με μια πρώτη τρέχουσα ροή αίσθησης σε μια πρώτη κατεύθυνση και της αντιστοιχίας σε μια άγνωστη κατάσταση λογικής του κυττάρου μνήμης, και μια δεύτερη τάση που καθιερώνεται με μια τρέχουσα ροή δεύτερης αίσθησης σε μια δεύτερη κατεύθυνση και την αντιστοιχία σε μια γνωστή κατάσταση λογικής του κυττάρου μνήμης. Ο ενισχυτής αίσθησης περιλαμβάνει ανιχνεύει τη λογική που διαμορφώνεται για να συγκρίνει τη δεύτερη τάση με μια ανώτερη και χαμηλότερη τάση κατώτατων ορίων και να παρέχει το γνωστό κράτος λογικής εάν η δεύτερη τάση είναι λιγότερο από την ανώτερη τάση κατώτατων ορίων και μεγαλύτερος από τη χαμηλότερη τάση κατώτατων ορίων, και παρέχει ένα κράτος λογικής απέναντι από το γνωστό κράτος λογικής εάν η δεύτερη τάση είναι ίση με ή μεγαλύτερη από την ανώτερη τάση κατώτατων ορίων ή είναι ίση με ή λιγότερο από τη χαμηλότερη τάση κατώτατων ορίων.
