A field effect transistor comprises a silicon layer formed on an insulator,
a diffused layer formed by diffusing dopant from a part of a surface of
the silicon layer up to the insulator, a silicide layer formed toward the
insulator side from a surface of the diffused layer so as to have a
thickness less than or equal to that of the diffused layer, a contact
conductive layer formed on the surface of the silicide layer, a gate
insulating layer formed on the silicon layer, a gate electrode formed on
the gate insulating layer and a sidewall formed on a side surface of the
gate electrode. The shortest distance X between surfaces opposed to each
other, of the contact conductive layer and the sidewall satisfies a
relation represented by the following expression (1):
R(slc).times.10.sup.6.times.(1+Tslc/Tsoi).ltoreq.X.ltoreq.200/rs.
Expression (1)
Μια κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων περιλαμβάνει ένα στρώμα πυριτίου που διαμορφώνεται σε έναν μονωτή, ένα διασκορπισμένο στρώμα που διαμορφώνεται από το υλικό πρόσμιξης διάχυσης από ένα μέρος μιας επιφάνειας του στρώματος πυριτίου μέχρι το μονωτή, ένα στρώμα μεταλλικής ένωσης πυριτίου που διαμορφώνεται προς την πλευρά μονωτών από μια επιφάνεια του διασκορπισμένου στρώματος ώστε να υπάρξει ένα πάχος λιγότερο ή ίσο προς ότι του διασκορπισμένου στρώματος, ένα αγώγιμο στρώμα επαφών διαμόρφωσε στην επιφάνεια του στρώματος μεταλλικής ένωσης πυριτίου, ενός στρώματος μόνωσης πυλών που διαμορφώθηκαν στο στρώμα πυριτίου, ενός ηλεκτροδίου πυλών που διαμορφώθηκαν στο στρώμα μόνωσης πυλών και sidewall που διαμορφώθηκε σε μια δευτερεύουσα επιφάνεια του ηλεκτροδίου πυλών. Η πιό σύντομη απόσταση Χ μεταξύ των επιφανειών που αντιτάσσονται η μια στην άλλη, του αγώγιμου στρώματος επαφών και sidewall ικανοποιεί μια σχέση που αντιπροσωπεύεται από την ακόλουθη έκφραση (1): R(slc).times.10.sup.6.times.(1+Tslc/Tsoi).ltoreq.X.ltoreq.200/rs. Έκφραση (1)
