Semiconductor laser device capable of suppressing leakage current in a light emitting end surface and method for manufacturing same

   
   

For evaporating a protective coating on a light emitting end surface 51a of a laser chip 51, there is formed first an Si film 52a, which is free from generation of oxygen due to decomposition. Thus, there is created a coating in the vicinity of the light emitting end surface 51a immediately after start of evaporation process under conditions of low partial pressure of oxygen. At the same time, in the later evaporation process of the protective coating 52b, if oxygen is generated due to decomposition of the evaporation material Al.sub.2 O.sub.3, and oxygen partial pressure is increased, collision or bonding of the oxygen with the end surface 51a is prevented, thereby decreasing damages given to the end surface 51a in the process of protective coating creation. Further, the Si film 52a has a film thickness as small as approx. 20 .ANG.. This controls generation of leakage current in the Si film 52a (or the end surface 51a), and prevents negative influence on oscillation characteristics.

Για την εξάτμιση ενός προστατευτικού επιστρώματος σε μια ελαφριά επιφάνεια τελών εκπομπής 51a ενός τσιπ 51 λέιζερ, διαμορφώνεται πρώτα μια ταινία Si 52a, η οποία είναι απαλλαγμένη από την παραγωγή του οξυγόνου λόγω στην αποσύνθεση. Κατά συνέπεια, δημιουργείται ένα επίστρωμα κοντά στην ελαφριά επιφάνεια τελών εκπομπής 51a αμέσως μετά από την έναρξη της διαδικασίας εξάτμισης υπό τους όρους της χαμηλής μερικής πίεσης του οξυγόνου. Συγχρόνως, στην πιό πρόσφατη διαδικασία εξάτμισης του προστατευτικού επιστρώματος 52b, εάν το οξυγόνο παράγεται λόγω στην αποσύνθεση της εξάτμισης υλικό Al.sub.2 O.sub.3, και του οξυγόνου η μερική πίεση αυξάνεται, η σύγκρουση ή η σύνδεση του οξυγόνου με την επιφάνεια τελών 51a είναι, με αυτόν τον τρόπο μειωμένος ζημίες που δίνονται στην επιφάνεια τελών 51a στο στάδιο της προστατευτικής δημιουργίας επιστρώματος. Περαιτέρω, η ταινία Si 52a έχει ένα πάχος ταινιών μικρό όπως περ. 20. ANG .. Αυτό ελέγχει την παραγωγή του ρεύματος διαρροής στην ταινία Si 52a (ή την επιφάνεια τελών 51a), και αποτρέπει την αρνητική επιρροή στα χαρακτηριστικά ταλάντωσης.

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor laser device

< Multi-dimensional optical disk

> High yield DFB laser with effective reject selection

> Semiconductor laser element having a diverging region

~ 00147