In a distributed feedback type semiconductor layer diode including a
semiconductor substrate, an optical guide layer formed on the
semiconductor substrate, a diffraction grating having a phase shift region
being formed between the semiconductor substrate and the optical guide
layer, and an active layer formed on the optical guide layer,
.kappa.L+A.multidot..DELTA..lambda..gtoreq.B
where .kappa. is a coupling coefficient of the diffraction grating, L is a
cavity length of the diode, .DELTA..lambda. is a detuning amount denoted
by .DELTA..lambda.=.lambda..sub.g -.lambda. where .lambda..sub.g is a gain
peak wavelength of the diode and .lambda. is an oscillation wavelength of
the diode, A is a constant from 0.04 nm.sup.-1 to 0.06 nm.sup.-1, and B is
a constant from 3.0 to 5.0.
En un tipo distribuido diodo de la regeneración de la capa del semiconductor incluyendo un substrato del semiconductor, una capa óptica de la guía formada en el substrato del semiconductor, una rejilla de difracción que tenía una región del desplazamiento de fase que era formada entre el substrato del semiconductor y la capa óptica de la guía, y una capa activa formaron en la capa óptica de la guía, kappa.L+A.multidot..DELTA..lambda..gtoreq.B donde kappa. es un coeficiente del acoplador de la rejilla de difracción, L es una longitud de la cavidad del diodo, DELTA..lambda. es una cantidad la desintonización denotada por DELTA..lambda.=.lambda..sub.g -.lambda. donde está una longitud de onda el lambda..sub.g del pico del aumento del diodo y del lambda. es una longitud de onda de la oscilación del diodo, A es una constante a partir de 0.04 nm.sup.-1 a 0.06 nm.sup.-1, y B es una constante a partir del 3.0 a 5.0.
