A semiconductor device contains a word line, a charge storage region
located above the word line, an active layer located above the charge
storage region, a patterned etch stop layer located above a first portion
of the active layer, and bit lines located over a portion of the etch stop
layer and over second portions of the active layer.
Ein Halbleiterelement enthält eine Wortlinie, eine Aufladung Speicherregion, die über der Wortlinie gelegen sind, eine aktive Schicht, die über der Aufladung Speicherregion gelegen sind, eine patterned Ätzungendschicht, die über einem ersten Teil der aktiven Schicht gelegen ist, und biß die Linien, die über einem Teil der Ätzungendschicht und zweiten Teilen des Überschusses der aktiven Schicht gelegen sind.
