Damascene structure fabricated using a layer of silicon-based photoresist material

   
   

A damascene structure, and a method of fabricating same, containing relatively low dielectric constant materials (e.g., k less than 3.8). A silicon-based, photosensitive material, such as plasma polymerized methylsilane (PPMS), is used to form both single and dual damascene structures containing low k materials. During the manufacturing process that forms the damascene structures, the silicon-based photosensitive material is used as both a hard mask and/or an etch stop.

Una struttura damascene e un metodo di fabbricare stessi, contenente i materiali relativamente bassi di costante dielettrico (per esempio, K più meno di 3.8). Un materiale silicone-basato e fotosensibile, quale methylsilane polimerizzato plasma (PPMS), è usato per formare sia le singole che strutture damascene doppie che contengono i materiali bassi di K. Durante il processo di manufacturing che forma le strutture damascene, il materiale fotosensibile silicone-basato è usato come sia una mascherina dura e/o arresto incissione all'acquaforte.

 
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< Structure and method for eliminating time dependent dielectric breakdown failure of low-k material

< Method for manufacturing a liquid crystal display with a novel structure of thin film transistor substrate

> Method of manufacturing a liquid crystal display panel using a gray tone mask

> Semiconductor device

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