A window structure type AlGaInP semiconductor laser able to suppress
abnormal growth in the vicinity of a ridge and having good surface
morphology, wherein a least one step-like structure is provided on a
substrate having a surface tilted to a [0-1-1] direction from a (100)
plane, a semiconductor stack is formed on the substrate and comprises an
active layer including two types of Group III elements including at least
indium (In) and Group V elements including phosphorus (P), a cladding
layer of a first conductivity, a cladding layer of a second conductivity,
end surfaces of an active layer serve as end surfaces of a resonator, a
light guide is formed between and the end surfaces of the resonator, and
the light guide is arranged at an upper step side of the step-like
structure so that a portion of the light guide not including resonator end
surfaces is positioned in the vicinity of the step-like structure and so
that the resonator end surface portions of the light guide are farther
from the step-like structure, and a method of production thereof.
Een het type AlGaInP van vensterstructuur halfgeleiderlaser bekwaam om de abnormale groei te onderdrukken in de buurt van een rand en het hebben van de goede oppervlaktemorfologie, waarin een meest minst één stap-als structuur op een substraat verstrekt wordt dat een oppervlakte heeft die aan a [ 0-1-1 ] wordt overgeheld richting van een (100) vliegtuig, wordt een halfgeleiderstapel gevormd op het substraat en bestaat uit een actieve laag met inbegrip van twee soorten Groep III elementen met inbegrip van minstens indium (In) en Groep V elementen met inbegrip van fosfor (P), een bekledingslaag van een eerste geleidingsvermogen, een bekledingslaag van een tweede geleidingsvermogen, eindoppervlakten van een actieve laag als eindoppervlakten van een resonator dient, wordt een lichte gids gevormd tussen en the vicinity of a ridge and having good surface morphology, wherein a least one step-like structure is provided on a substrate having a surface tilted to a [ 0-1-1 ] direction from a (100) plane, a semiconductor stack is formed on the substrate and comprises an active layer including two types of Group III elements including at least indium (In) and Group V elements including phosphorus (P), a cladding layer of a first conductivity, a cladding layer of a second conductivity, end surfaces of an active layer serve as end surfaces of a resonator, a light guide is formed between and the end surfaces of the resonator, and de lichte gids wordt geschikt aan een hogere stapkant van de stap-als structuur zodat een gedeelte van de lichte gids met inbegrip van de geen oppervlakten van het resonatoreind in de buurt van de stap-als structuur wordt geplaatst en zodat de de oppervlaktegedeelten van het resonatoreind van de lichte gids verder van de stap-als structuur zijn, en een methode van productie daarvan.
