In a dynamic sensing-type nonvolatile semiconductor memory device of the
invention, which employs a differential sense amplifier circuit, a memory
cell is connected to a bit line using a word line and a reference memory
cell is connected to an anti-bit line using a reference word line, the
potential difference between the bit line and the anti-bit line is
amplified by a sense amplifier, and when reading the data of the memory
cell, at the start of data readout the bit lines are both precharged to a
predetermined potential by a precharge circuit, and during and after
precharging or only after precharging is finished, an identical amount of
current is supplied to the bit line and the anti-bit line by a bit line
current supply circuit.
In un percep-tipo dinamico dispositivo non volatile di memoria a semiconduttore dell'invenzione, che impiega un circuito differenziale dell'amplificatore di senso, una cellula di memoria è collegata ad una linea della punta usando una linea di parola e una cellula di memoria di riferimento è collegata ad una linea della anti-punta usando una linea di parola di riferimento, la differenza potenziale fra la linea della punta e la linea della anti-punta è amplificata da un amplificatore di senso e quando legge i dati della cellula di memoria, all'inizio della lettura di dati le linee entrambe della punta sono precaricate ad un potenziale predeterminato da un circuito di precarica e durante e dopo il precaricamento o solo dopo che precaricare è rifinito, una quantità identica di corrente è fornita ai la linea della punta e la anti-punta si allineano da una linea circuito della punta del rifornimento corrente.
