A field electron emission cathode is manufactured by depositing on an
insulating substrate 300, by low resolution means, a sequence of a first
conducting layer 301, a field emitting layer 302 and a second conducting
layer 303 to form at least one cathode electrode. There is then deposited
on the cathode electrode by low resolution means, a sequence of an
insulating layer 304 and a third conducting layer 305, to form at least
one gate electrode. The structure thus formed is then coated with a
photoresist layer 306. The photoresist layer 306 is then exposed by high
resolution means to form at least one group of emitting cells, the or each
such group being located in an area of overlap between a cathode electrode
and gate electrode. To complete the cells, the conducting and insulating
layers 305, 304, 303 are etched sequentially to expose the field emitting
layer 302 in the cells, and remaining areas of the photoresist layer 306
are removed. Thus, field emitting materials and devices can be
manufactured using relatively low cost techniques.
Un catodo dell'emissione dell'elettrone del campo è prodotto depositando su un substrato isolante 300, attraverso i mezzi bassi di risoluzione, su una sequenza di un primo strato di condotta 301, un campo che emette lo strato 302 e un secondo strato di condotta 303 alla forma almeno un elettrodo del catodo. Allora è depositato sull'elettrodo attraverso i mezzi bassi di risoluzione, una sequenza del catodo di uno strato isolante 304 e di un terzo strato di condotta 305, per formare almeno un elettrodo di cancello. La struttura formata così allora è ricoperta di strato di photoresist 306. Lo strato di photoresist 306 allora è esposto attraverso i mezzi di alta risoluzione per formare gruppo almeno un del gruppo di emissione delle cellule, o ogni tale che è situato in un'area di coincidenza fra un elettrodo del catodo e l'elettrodo di cancello. Per completare le cellule, gli strati di condotta ed isolanti 305, 304, 303 sono incisi in sequenza per esporre il campo che emette lo strato 302 nelle cellule e le zone restanti dello strato di photoresist 306 sono rimosse. Quindi, il campo che emette i materiali ed i dispositivi può essere manufactured usando le tecniche di basso costo relativamente.
