A method of controlling thermal loading of an electronic component material
during ablation thereof provides a first laser light beam 42 at a certain
power density and fluence and uses the first laser light beam to remove a
portion of a first side 47 of the material 36. A second laser light beam
44 is provided at a certain power density and fluence and the second laser
light beam is used to remove a portion of a side 49 of the material
opposing the first side thereof substantially simultaneously as the
portion of the first side is being removed.
Un método de controlar el cargamento termal de un material del componente electrónico durante la ablación de eso proporciona una primera viga 42 de la luz laser en una ciertos densidad de energía y fluence y utiliza la primera viga de la luz laser para quitar a una porción de una primera cara 47 del material 36. Una segunda viga 44 de la luz laser se proporciona en cierta densidad de energía y el fluence y la segunda viga de la luz laser se utiliza para quitar a una porción de una cara 49 del material que opone el primer lado de eso substancialmente simultáneamente mientras que están quitando a la porción del primer lado.
