Selecting circuits for columns of an array of memory cells are used to hold
read data or write data of the memory cells. The memory cells may be
multistate memory cells. There is a shift register chain, having a stage
for columns of the array. A strobe pulse is shifted through this shift
register. The strobe points, with each clock, at and enables a different
selecting circuit in sequence. That particular selecting circuit that has
been enabled by the strobe will then perform a certain function. In a read
mode, the selected selecting circuit will send the stored information
through to the output buffer for output from the integrated circuit. And
while in a programming mode, the selected selecting circuit will receive
data from an input buffer. This data will be written into a memory cell.
Choisissant des circuits pour des colonnes d'un choix de cellules de mémoire sont employés pour contenir des données lues ou pour écrire des données des cellules de mémoire. Les cellules de mémoire peuvent être des cellules de mémoire de multistate. Il y a une chaîne de registre à décalage, ayant une étape pour des colonnes de la rangée. Une impulsion de stroboscope est décalée par ce registre à décalage. Le stroboscope se dirige, avec chaque horloge, à et permet un circuit de choix différent dans l'ordre. Ce circuit de choix particulier qui a été permis par le stroboscope exécutera alors une certaine fonction. En mode indiqué, le circuit de choix choisi enverra l'information stockée à travers à l'amortisseur de rendement pour le rendement du circuit intégré. Et tandis qu'en mode de programmation, le circuit de choix choisi recevra des données d'un amortisseur d'entrée. Ces données seront écrites dans une cellule de mémoire.
