A laser apparatus includes a semiconductor laser element having a first
active layer made of a GaN-based compound, and emitting first laser light;
and a surface-emitting semiconductor element having a second active layer
made of a GaN-based compound, being excited with the first laser light,
and emitting second laser light. In addition, the surface-emitting
semiconductor element may have a first mirror arranged on one side of the
second active layer, and a second mirror may be arranged outside the
surface-emitting semiconductor element so that the first and second
mirrors form a resonator.
Um instrumento do laser inclui um elemento do laser do semicondutor que tem uma primeira camada ativa feita de um composto GaN-baseado, e emitindo-se a primeira luz de laser; e um elemento superfície-emitindo-se do semicondutor que tem uma segunda camada ativa feita de um composto GaN-baseado, sendo excitado com a primeira luz de laser, e emitindo-se a segunda luz de laser. Além, o elemento superfície-emitindo-se do semicondutor pode ter um primeiro espelho arranjado em um lado da segunda camada ativa, e um segundo espelho pode ser parte externa arranjada o elemento superfície-emitindo-se do semicondutor de modo que os primeiros e segundos espelhos dêem forma a um ressonador.
