An insulated gate field effect semiconductor device comprising a substrate
having provided thereon a thin-film structured insulated gate field effect
semiconductor device, said device being characterized by that it comprises
a metal gate electrode and at least the side thereof is coated with an
oxide of the metal. The insulated gate field effect semiconductor device
according to the present invention is also characterized by that the
contact holes for the extracting contacts of the source and drain regions
are provided at about the same position of the end face of the anodically
oxidized film established at the side of the gate. Furthermore, the
present invention provides a method for forming insulated gate field
effect semiconductor devices using less masks.
Un dispositif de semi-conducteur isolé d'effet de gisement de porte comportant un substrat ayant fourni là-dessus un dispositif de semi-conducteur isolé structuré en couche mince d'effet de gisement de porte, ledit dispositif caractérisé par cela il comporte une électrode de porte en métal et au moins le côté en est enduit d'un oxyde du métal. Le dispositif de semi-conducteur isolé d'effet de gisement de porte selon la présente invention est également caractérisé par cela les trous de contact pour les contacts extrayants de la source et des régions de drain sont fournies à la position à peu près identique du visage d'extrémité du film anodique oxydé établi au côté de la porte. En outre, la présente invention fournit une méthode pour former les dispositifs de semi-conducteur isolés d'effet de gisement de porte en utilisant moins de masques.
