A method of fabricating an LCD-on-silicon pixel device, comprising the
following steps. A substrate having an upper layer of silicon is provided.
A via is formed in the silicon layer. An opaque conducting layer is
deposited over the silicon layer, filling the via. The opaque conducting
layer is planarized a reflective layer is deposited over the opaque
conducting layer. Alternatively, the via may be formed by a deposition and
etch back process with one metal. An opaque conducting layer is then
deposited and planarized before deposition of the reflective layer. An
LCD-on-silicon pixel device, comprises a substrate having an upper silicon
layer. The upper silicon layer has a plug therein comprised of an opaque
conducting material. Over the upper silicon layer and the opaque
conducting plug is a planar opaque conducting layer and a planar
reflective layer is over the planar opaque conducting layer.
Метод изготовлять приспособление пиксела LCD-on-silicon, состоя из following шагов. Обеспечен субстрат имея верхний слой кремния. А через сформирован в слое кремния. Опаковый дирижируя слой депозирован над слоем кремния, заполнять через. Опаковый дирижируя слой planarized отражательный слой депозирован над опаковым дирижируя слоем. Друг, через смогите быть сформировано низложением и etch назад обрабатывает с одним металлом. Опаковый дирижируя слой после этого депозирован и planarized перед низложением отражательного слоя. Приспособление пиксела LCD-on-silicon, состоит из субстрата имея верхний слой кремния. Верхний слой кремния имеет штепсельную вилку в этом, котор состоят из опакового дирижируя материала. Над верхним слоем кремния и опаковой дирижируя штепсельной вилкой будет плоскостным опаковым дирижировать слоем и плоскостной отражательный слой находится над плоскостным опаковым дирижируя слоем.
