Apparatus and Methods for the self-alignment of separated regions in a
lateral MOSFET of an integrate circuit. In one embodiment, a method
comprising, forming a relatively thin dielectric layer on a surface of a
substrate. Forming a first region of relatively thick material having a
predetermined lateral length on the surface of the substrate adjacent the
relatively thin dielectric layer. Implanting dopants to form a top gate
using a first edge of the first region as a mask to define a first edge of
the top gate. Implanting dopants to form a drain contact using a second
edge of the first region as a mask to define a first edge of the drain
contact, wherein the distance between the top gate and drain contact is
defined by the lateral length of the first region.
Os instrumentos e os métodos para o self-alinhamento de regiões separadas em um MOSFET lateral integrar circuitam. Em uma incorporação, compreender do método, dando forma a uma camada dieléctrica relativamente fina em uma superfície de uma carcaça. Dando forma a uma primeira região do material relativamente grosso que tem um comprimento lateral predeterminado na superfície da carcaça adjacente a camada dieléctrica relativamente fina. Implanting dopants para dar forma a uma porta superior usando uma primeira borda da primeira região como uma máscara definir uma primeira borda da porta superior. Implanting dopants para dar forma a um contato do dreno usando uma segunda borda da primeira região como uma máscara definir uma primeira borda do contato do dreno, wherein a distância entre a porta e o contato superiores do dreno é definida pelo comprimento lateral da primeira região.
